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纳米二氧化硅溶胶在集成电路加工中的应用
2023-03-28 16:21
先进集成电路制造业的快速发展方向为高精度、高性能、高集成度，这对晶圆表面的局部和整体平整度都提出了高要求。目前，超精密化学机械抛光技术（CMP）是可以提供晶圆局部和整体平坦化的表面精加工技术，CMP以化学抛光机为主体，集在线监测、终点检测、清洗、甩干等技术为一体，是集成电路向微细化、多层化、薄型化、平坦化工艺发展的产物。
CMP抛光中，常用磨料主要包括纳米二氧化硅、二氧化铈和氧化铝。二氧化铈磨料的优点是抛光速率快、硬度小、稳定性好，但目前采用的二氧化铈基本是机械研磨而成，存在颗粒分散度大，粘度大，纯度低，价格较为昂贵等缺陷；氧化铝磨料的硬度较大，对软质工件进行抛光时易造成划伤，不太适用于较软质地工件的抛光；而纳米二氧化硅溶胶磨料其胶粒尺寸在1-100nm，胶粒具有较大的比表面积，高度的分散性和渗透性，其硬度较软对工件表面的损伤极微，因此广泛应用于晶圆、蓝宝石等精密光学器件表面的抛光处理。
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